Система безмасковой лазерной литографии DWL 2000/DWL 4000 Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH

DWL 2000 и DWL 4000 - высокопроизводительные cистемы безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения

 

 

Высокопроизводительный лазерный генератор изображений Heidelberg DWL DWL 2000 и DWL 4000 предназначен для работы с фотошаблонами при больших объемах производства. Увеличена скорость письма по сравнению с DWL 66FS. Предназначена для задач производств крупных серий. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.

 

Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения.

Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки.

 

Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости применяется специальная система позиционирования.

Камера микроклимата входит в комплект поставки.

 

В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм, (100 мВт или больше по запросу). В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: Kr-ion (413 нм, 300 мВт) или UV (375 нм, 18 мВт).

 

Генератор может быть снабжён автоматической системой загрузки пластин (из кассеты в кассету), возможна загрузка пластин диаметром 200 мм или размером 178 х 178 мм.

 

Технические характеристики:

 

Минимальный топологический размер до 0,5 мкм;

Размер поля экспонирования до 200 х 200 мм для DWL 2000;

Размер поля экспонирования до 400 х 400 мм для DWL 4000;

Дискретность адресной сетки до 5 нм;

Скорость экспонирования для области 200 х 200 мм — до 340 мм2/мин;

Скорость экспонирования для области 400 х 400 мм — до 340 мм2/мин;

Неровность края элементов до 50 нм;

Толщина подложки до 7 мм или другая по запросу (по ТЗ заказчика)

Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;

Размеры установки DWL 2000: 1740 х 1215 х 2200 мм, вес: 1000 кг;

Размеры блока управления: 800 х 650 х 1800 мм, вес: 180 кг;

Энергопотребление: 400 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 32 A.

Класс чистоты комнаты: 1000 или лучше.

 

Состав установки в базовой комплектации:

 

Камера микроклимата;

Гранитное основание и основной блок;

Антивибрационная система;

Оптическая система;

Измерительная система;

Калибровочная система автофокусировки;

Система позиционирования подложки;

Электронный блок управления;

Персональный компьютер пользователя;

Система генерации и обработки изображений в реальном времени.

Опция - продвинутая система экспонирования в серой шкале (grey scale exposure mode) - для создания 3D структур. До 4096 градаций (уровней)

 

Комплектация по заказу :

 

Возможность работы с различным разрешением путём простой замены пишущей головки;

Блок охлаждения для камеры микроклимата, при использовании мощных лазерных источников;

Возможность использования различных лазерных источников для работы на разных длинах волн.

 

Лазерные источники:

 

Диодный лазер — 405 нм, 50 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартых резистов;

Kr-ion лазер — 413 нм, 300 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;

UV лазер — 375 нм, 18 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов

 

Режимы формирования рисунка:

Режим работы I II III IV
Размер адресной сетки, нм 5 10 12,5 25
Минимальный размер элемента, мкм 0,5 0,7 0,8 1,3
Скорость письма (mm2/мин) с диодным лазером.  (405 нм) 29 110 - -
Скорость письма (mm2/мин) с Криптон-ионном лазером (413 нм) 29 110 170 340

Неровность края (3σ), нм

Edge roughness [3σ, nm]

40 50 60 80

Равномерность линии (3σ), нм

CD uniformity [3σ, nm]

60 80 90 120

Точность совмещения (3σ), нм

Overlay accuracy [3σ, nm]

160 200 225 350
Alignment measurement accuracy [3σ, nm] 60 70 90 140

 

Примеры:

Пришлите нам запрос на интересующую Вас установку по электронной почте (info@eavangard-micro.ru, или по факсу +7 (495) 482 0674 для отдела оборудования для микроэлектроники и мы подготовим и направим Вам коммерческое предложение в кратчайшие сроки.