Системы безмаскового совмещения и экспонирования (MLA - Maskless Aligners) Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 

 

MLA100 - настольная установка безмаскового совмещения и экспонирования

 

Разработанная с акцентом на высокую производительность по доступной цене, установка MLA100 является идеальным решением для литографии многих приложений R & D. Оптическая система предназначена для экспонирования структур размером до 1 мкм при скорости 50 мм² / мин по фоторезисту, без необходимости использования фотошаблонов. Устранение фотошаблонов в литографическом процессе повысит гибкость и значительно сократит производственный цикл. MLA100 управляется мастер-программой (GUI), которая помогает оператору в течение всего процесса совмещения и экспонирования: загрузка подложки, выбор дизайна и экспонирование. Установка занимает малую площадь и требует только подключения электропитание и сжатого воздуха.

 

Применение установки MLA100: медицина. MEMS, микрооптика, Полупроводники, сенсоры, датчики, MOEMS, исследование материалов, нанотрубки, графены и др.

Технические характеристики:

 

Минимальный топологический размер 1 мкм

Размер обрабатываемых подложек и пластин до 6 х 6 дюймов

Минимальный размер подложки 6 х 6 мм.

Размер поля экспонирования до 125 х 125 мм или до Ø100 мм;

Растровое экспонирование и 3D экспонирование (Gray Scale Exposure Mode -опция) до 128 уровней

Скорость экспонирования для области –  50 мм2/мин

Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм]) -  1000 нм.

Время экспонирования области 100х100 мм² - 200 минут.( около 3 часов)

Толщина подложки от 0,1 до 6 мм;

Габаритные размеры: 630 х 770 х 530 мм, вес 100 кг;

Стабильность поддержания температуры ±1° С;

Требуемый уровень влажности: 50% ± 10%;

Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 6 A.

Класс чистоты комнаты: ISO 6 (1000) или лучше.

 

Брошюра MLA100...

 

Характеристики MLA100

 

Режим работы

I

Минимальный размер элемента с использованием LED источника (390 нм), мкм и UV LED источника (375 нм)

1,0

Время экспонирования области 20х20 мм2 (мин).

8

Время экспонирования области 50х50 мм2 (мин).

50

Время экспонирования области 100х100 мм2 (мин).

200

Равномерность ширины линии (3σ), нм

200

Точность совмещения (50x50 мм² [3sigma, нм])

1000

Область письма (экспонирования), мм

125 х 125

до Ø100

 

Примеры:

 

Пришлите нам запрос на интересующую Вас установку по электронной почте (info@eavangard-micro.ru, или по факсу +7 (495) 482 0674 для отдела оборудования для микроэлектроники и мы подготовим и направим Вам коммерческое предложение в кратчайшие сроки.