Системы безмаскового совмещения и экспонирования (MLA - Maskless Aligners) Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH 

 

MLA150 - установка безмаскового совмещения и экспонирования

 

MLA150 был специально разработан для удобства эксплуатации и включает в себя все ноу-хау в безмасковой литографии, которые компания собрала за последние 30 лет. Литограф MLA150 предлагает все возможности, необходимые для однослойных и многослойных применений.

 

Установку  MLA150 отличает от других генераторов шаблонов не только удобство, но и экстремальная скорость экспонирования. Экспонирование области 100x100 мм² с размером структур 1 микрон займет менее 10 минут - независимо от коэффициента заполнения или количество структур в этой области. Совмещение в многослойных применениях достигается в течение 2 минут с помощью трех интегрированных камер с различным разрешением. Точность совмещения от слоя к слою лучше чем 500 нм (0,5 мкс) и не зависит от уровня оператора. 

 

Применение установки MLA150: медицина. MEMS, микрооптика, Полупроводники, сенсоры, датчики, MOEMS, исследование материалов, нанотрубки, графены и др.

 

Технические характеристики:

 

Минимальный топологический размер 1 мкм

Размер обрабатываемых подложек и пластин до 9 х 9 дюймов

Размер поля экспонирования до 150 х 150 мм или до Ø150 мм;

Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм]) -  500 нм.

Время экспонирования области 100х100 мм² - 9 минут

Время экспонирования области 150х150 мм² - 15 минут

Толщина подложки от 0,1 до 6 мм;

Опция обратного совмещения (BSA)

Автофокус в реальном времени

Установка двух лазеров 405 нм и 375 нм (по запросу)

Габаритные размеры: 1300 х 1300 х 1950 мм, вес 1000 кг;

Стабильность поддержания температуры ±1° С;

Требуемый уровень влажности: 50% ± 10%;

Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 6 A.

Класс чистоты комнаты: ISO 6 (1000) или лучше.

 

Брошюра MLA150...

 

Применения MLA150...

 

Характеристики MLA150:

 

Источник света

405 нм

375  нм

Минимальный размер элемента с использованием модуля диодного лазера источника (405 нм), мкм и UV источника (375 нм)

1,0

1,0

Время экспонирования области 50х50 мм2 (мин).

4,0

10,0

Время экспонирования области 50х50 мм2 (мин).

9,0

32,00

Время экспонирования области 100х100 мм2 (мин).

16,00

65,00

Равномерность ширины линии (3σ), нм

120,00

120,00

Точность совмещения (100x100 мм² [3sigma, нм])

500

500

Область письма (экспонирования), мм

150 х 150

до Ø150

150 х 150

до Ø150

 

Пришлите нам запрос на интересующую Вас установку по электронной почте (info@eavangard-micro.ru, или по факсу +7 (495) 482 0674 для отдела оборудования для микроэлектроники и мы подготовим и направим Вам коммерческое предложение в кратчайшие сроки.