Установки плазмо-химического травления SENTECH

Реактивно-ионное травление (RIE), плазменное травление в индуктивно-связанной плазме (ICP-RIE) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия)

 

 

Низкий уровень повреждения при травлении, контроль температуры плазмы при травлении MEMS, кремния, микрооптики, полупроводников, диэлектриков, органических и металлических пленок.

 

RIE установки реактивно-ионного травления:

ETCHLAB 200

Установка реактивно-ионного травления (RIE) без вакуумного шлюза.

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

До 8 газовых линий

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия

 

ETCHLAB 200-300

Установка реактивно-ионного травления (RIE) без вакуумного шлюза

Обработка пластин диаметром до 300 мм.

До 8 газовых линий

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия

 

 

SI 591 (Compact)

Установка реактивно-ионного травления (RIE) с вакуумным шлюзом

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

 

SI 500 RIE

Установка реактивно-ионного травления (RIE) с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

 

ICP-RIE установки плазменного травления  в индуктивно связанной плазме:

SI 500

Установка травления в индуктивно-связанной плазме с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

Источник ИСП (13,56 МГц, 1200 Вт)

Охлаждение гелием (He back side cooling)

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

 

 

SI 500 C (Cryo)

Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 200 мм.

Источник ИСП (13,56 МГц, 1200 Вт)

Охлаждение гелием (He back side cooling)

температура подложки -150 до 400 oC.

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

 

 

SI 500-300

Установка травления в индуктивно-связанной плазме с гелиевым охлаждение обратной стороны подложки

Обработка пластин диаметром до 300 мм.

Источник ИСП (13,56 МГц, 1200 Вт)

Охлаждение гелием (He back side cooling)

До 16 газовых линий

Хлорная и фторная химия

Программное обеспечение SENTECH Software

OES и лазерная эллипсометрия и лазерная интерферометрия

 

Кластерная конфигурация систем (до 3 реакторов в кластере).

 

Мониторинг процессов - in-situ эллипсометрия, интерферометрия, оптическая эмиссионная спектрометрия для контроля скорости роста пленок, скорости и глубины травления, определения конечной точки окончания процесса (end point detection).

Презентация компании SENTECH.pdf

Пришлите нам запрос на интересующую Вас установку по электронной почте (info@eavangard-micro.ru, или по факсу +7 (495) 482 0674 для отдела оборудования для микроэлектроники и мы подготовим и направим Вам коммерческое предложение в кратчайшие сроки.