Установка травления в индуктивно-связанной плазме ICP-RIE SI 500 PTSA ICP Plasma Etcher

 

SI 500 PTSA Plasma Etcher - установка травления в индуктивно-связанной плазме (ICP-RIE) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия)

 

Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении

Возможность травления структур с нано размерами

Высокая скорость травления

Низкий уровень повреждений

Высокое аспектное отношение

PTSA - (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna планарный источник ICP

Вакуумный загрузочный шлюз

Гелиевое охлаждение подложки

Операции контролируются компьютером

Применение для III/V, микрооптика, микросистемы, СВЧ, нанотехнологии

Программное обеспечение SENTECH Software

Диаметр обрабатываемых пластин до 200мм.

Установка через стену (опция)

Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

 

 

Система травления  SI 500 PTSA ICP plasma etcher производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для использования в НИОКР для реализации процессов высокоскоростного сухого плазменного травления кремния (в том числе и Bosh процесс), диэлектриков и полупроводниковых структур, особенно III/V и микрооптики и наноструктур в индуктивно-связанной плазме.

 

Установка травления SI 500 с источником индуктивно связанной плазмы может быть использована в широком диапазоне плазменных процессов – от обычного реактивного ионного травления до процессов в плазме высокой плотности. Отличительными особенностями SI 500 являются наличие источника индуктивно связанной плазмы, электрод подложки с гелиевым охлаждением и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.

 

Отличительной особенностью системы SI 500 является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.

 

Конфигурация системы:

 

PTSA ICP источник (13,56 МГц, 1200 Вт.) с автоматической согласующей системой

Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)

Система распыления реакционного газа втроенная в PTSA источник

Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа

Вакуумный загрузочный шлюз

Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (-30ºC up to 250ºC) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 200 мм. (2, 3,4,6 дюймов, кусочки)

Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим

Динамический контроль температуры

Удаленный контроль

Управление под операционной системой Windows XP

Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы

 

 

Опции:

 

Добавочные газовые линии для коррозионных и не коррозионных газов

Кварцевое окошечко для лазерного интерферометра (через источник PTSA)

Термостат охладитель (-30°С...80°С)

Кассетная станция (cassette to cassette)

Установка через стену (Through-the-wall installation)

Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

Оптическая эмиссионная спектрометрия (OES)

Кластерная конфигурация (до 3-х реакторов в кластере)

 

Пришлите нам запрос на данную установку по электронной почте (info@eavangard-micro.ru, или по факсу +7 (495) 482 0674 для отдела оборудования для микроэлектроники и мы подготовим и направим Вам коммерческое предложение в кратчайшие сроки.