Установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме ICP-RIE SI 500 С PTSA ICP Cryo Plasma Etcher

 

SI 500 C PTSA Plasma Cryo Etcher - установка криогенного травления в индуктивно-связанной плазме (ICP-RIE) производства SENTECH Instruments GmbH (Германия)

 

 

Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при травлении

Высокая скорость травления

Низкий уровень повреждений

Высокое аспектное отношение

Очень гладкие стенки

PTSA - (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna источник ICP

Широкий диапазон температуры подложки: - 150°С до 400°С

Вакуумный загрузочный шлюз

Операции контролируются компьютером

Программное обеспечение SENTECH Software

Диаметр обрабатываемых пластин до 200мм.

Установка через стену (опция)

Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

 

Система криогенного травления  SI 500 С PTSA ICP Cryo plasma etcher производства SENTECH Instruments GmbH идеальный выбор для проведения высокоскоростного плазмо-химического травления кремния при создании MEMS структур и микрооптики.

 

Отличительными особенностями SI 500 С являются наличие источника индуктивно-связанной плазмы, крио-электрод (- 150°С до 400°С) подложки с охлаждением гелием и высокопроизводительная вакуумная система. Управление всеми важными параметрами оборудования осуществляется автоматически. Установка SI 500 была разработана для использования в пилотных производствах и НИОКР.

 

Отличительной особенностью системы SI500С является запатентованный источник индуктивно связанной плазмы ICP-PTSA 200 (плоская тройная спиральная антенна), специально подходящий для травления с низким повреждением структуры, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамическим контролем температуры для поддержания постоянной температуры независимо от мощности плазмы, вакуумная система позволяет обеспечивать высокую производительность требуемую для процессов травления и магнито-пневматический загрузочный шлюз для высочайшей надежности при загрузке/ выгрузке пластин. Все важнейшие параметры системы контролируются автоматически.

 

Конфигурация системы:

 

Крио-электрод (- 150°С до 400°С) для пластин диаметром до 200 мм или пластин меньшего диаметра, а также кусочков

Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим

PTSA ICP источник (13,56 МГц, 1200 Вт.) с автоматической согласующей системой

Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)

Магнетик для увеличения плотности плазмы

Система распыления реакционного газа втроенная в PTSA источник

Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа

Вакуумный загрузочный шлюз

Динамический контроль температуры

Удаленный контроль

Управление под операционной системой Windows XP

Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы

 

Опции:

 

Кварцевое окошечко для лазерного интерферометра (через источник PTSA)

Кассетная станция (cassette to cassette)

Установка через стену (Through-the-wall installation)

Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

 

Пришлите нам запрос на данную установку по электронной почте (info@eavangard-micro.ru, или по факсу +7 (495) 482 0674 для отдела оборудования для микроэлектроники и мы подготовим и направим Вам коммерческое предложение в кратчайшие сроки.