Установка ICPECVD низкотемпературного плазменного осаждения диэлектриков в иддуктивно-связанной плазме с вакуумным загрузочным шлюзом ICPECVD SI 500 D

 

SI 500 D PTSA ICP Plasma Deposition System (ICPECVD) - установка нихкотемпературного плазмо-химического осаждения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме (ICPECVD) - T<80°C производства SENTECH Instruments GmbH (Германия)

 

(P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna source - источник ИСП тройная плоская спиральная антенна

Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при осаждении диэлектриков

Высокая скорость осаждения

Низкий уровень повреждения

Высококачественные низкотемпературные диэлектрические пленки (Т>=50°C). Возможна конфигурация с температурным диапазоном -150...+400°C

Вакуумный загрузочный шлюз

Операции контролируются компьютером

Программное обеспечение SENTECH Software

Диаметр обрабатываемых пластин до 200мм.

Установка через стену (опция)

Кассетная станция

Лазерная интерферометрия (определение толщины осаждаемого слоя, скорости роста пленки, времени окончания процесса - end-point detection)

 

 

Система низкотемпаратурного плазмо-химического осаждения диэлектриков  ICPECVD SI 500 D PTSA ICP Plasma Deposition System производства SENTECH Instruments GmbH специально разработана для низкотемпературного нанесения диэлектрических пленок (SiO2, Si3N4, SiOxNy) на полупроводниковые и органические подложки.

 

Отличительные особенности системы – плоский источник индуктивно связанной плазмы PTSA 200, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамической регулировкой температуры, а также высокоэффективная вакуумная система. Эти особенности позволяют получать слои диэлектриков высокого качества при низкой температуре (-150оС...+400оС), производить эффективную сухую очистку реакторной камеры. Все важные параметры оборудования контролируются автоматически.

 

Электрод подложки рассчитан на работу с 8” пластинами или держателями пластин (держатели используются для пластин размером меньше, чем 8”).

 

Вакуумная система, состоящая из турбомолекулярного и форвакуумного насоса, разработана в соответствии с требованиями ICP процессов. Газовая система, реакторная камера и вакуумная система позволяют использовать силан (SiH4) и аммиак (NH3). Автоматические дроссельные регуляторы поддерживают постоянное давление в реакторной камере, независимо от интенсивности газового потока.

 

Конфигурация системы:

 

PTSA ICP источник индуктивной плазмы (13.56 MHz, 1200 W)

Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.)

Душевая система распыления реакционных газов

6 газовых линий с датчиками массового расхода MFC  (SiH4, NH3, N2O, O2, Ar, CF4)

Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления независимого от натекания газа

Вакуумный загрузочный шлюз

Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (КТºC до to 350ºC) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 200 мм. (2, 3,4,6 дюймов, кусочки)

Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины, механически прижим

Динамический контроль температуры

Удаленный контроль

Управление под операционной системой Windows XP

Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы

 

 

Опции:

 

Кассетная станция (cassette to cassette)

Установка через стену (Through-the-wall installation)

Лазерная и спектроскопическая in-situ эллипсометрия (SE 401 и SE 801)

Интерферометр (определение скорости травления, окончания процесса - endpoint detection)

Оптическая эмиссионная спектрометрия (NanoMES 2.0)

 

Пришлите нам запрос на данную установку по электронной почте (info@eavangard-micro.ru, или по факсу +7 (495) 482 0674 для отдела оборудования для микроэлектроники и мы подготовим и направим Вам коммерческое предложение в кратчайшие сроки.